鍍層一
現階段用 IZO 靶材與 Yb 錠替代測試。塊材不能代表真實薄膜剝除速度,但可先觀察是否溶解、是否出現不溶殘渣。
重點不是單純把鍍層洗掉,而是要在 8 分鐘內完成,同時守住精密遮罩本體。
目前前提:本案先按 Invar 鐵鎳合金遮罩設計;Invar 是低熱膨脹的鐵鎳合金,常用於 OLED 精密金屬遮罩。實際材質仍須向客戶確認,正式遮罩不可直接當首輪試片。
IZO 是氧化銦鋅導電膜;CPL 是最外層的有機保護層,需先被溶劑泡軟或溶解,藥水才碰得到下方金屬。
現階段用 IZO 靶材與 Yb 錠替代測試。塊材不能代表真實薄膜剝除速度,但可先觀察是否溶解、是否出現不溶殘渣。
可直接驗證 CPL 能否被泡軟剝除、Mg-Ag 是否在時限內去乾淨,以及處理後表面是否還有殘留。
不靠加熱拉速度。
看到鍍層消失就停,不多泡。
需以廢 Invar 片驗證失重、點蝕與孔徑。
建議 40 kHz、中低功率,槽功率密度約 2–3 W/cm2,採脈衝/間歇方式。
FMM 約 20–40 µm,強度過高可能變形或表面變毛;若有約 1 MHz megasonic,會更溫和。
以乾淨去除為準,不限定只有一種機制。
綠色實心為已完成;灰色虛線為尚未完成。
文獻與專利查證:完成網路搜尋與多來源交叉比對。
主路線定案:MSA+H2O2 約 1–2 M+DMSO/二醇醚。H2O2 過濃可能讓銀表面鈍化,也會加重 Invar 腐蝕。硫脲因列入 REACH SVHC,只留作對照,不採用。
各層移除機制已整理:氧化還原處理 Ag/Mg/Yb,純酸溶解 IZO,溶劑處理 CPL,並列出會腐蝕遮罩與消耗雙氧水的副反應。
四個判斷指標:滴定總酸、ICP 量溶入金屬、電導率/比重粗抓,以及現場直接觀察剝除時間是否越拖越長。
1 公升精確配製單:把候選濃度換成可實際秤量、可重複配製的操作文件。
試驗矩陣:比較 H2O2 濃度、銀剝除速率與 Invar 失重,先拿現有 Mg-Ag+CPL 真實試片找操作窗口。
擴大驗證:用 IZO 靶材與 Yb 錠做鍍層一替代測試,再依結果定版超音波條件。
整槽不是單一反應:金屬靠氧化還原、IZO 靠酸溶、CPL 靠溶劑。
符號先看懂:MSA 寫成 CH3SO3H;H+ 是酸提供的氫離子。式子中的 ↑ 代表氣體逸出。
銀不會被一般酸直接溶掉;H2O2 是啟動銀溶解的關鍵氧化劑。
Mg 比 Ag 活潑,Mg-Ag 會先失去 Mg,留下較疏鬆的銀,再由 H2O2 收尾。
IZO 內的氧化銦與氧化鋅已是氧化物,這裡是酸鹼反應,沒有電子轉移。
DMSO 或二醇醚先讓 CPL 溶脹或進入溶劑相,再用溫和超音波協助破裂剝離。
第一條會咬遮罩,第二條會讓雙氧水自己耗掉;兩者都會縮短安全操作時間。
真正的成敗,不是「加不加雙氧水」,而是找到濃度、時間與超音波強度的交集。
目前約 1–2 M 是起始研究方向,不是已驗證完成的量產條件;需用試驗矩陣量出實際窗口。
酸被 Mg、Yb 與 IZO 消耗後,其他鍍層會開始溶不動。
精確掌握 Ag、Mg、Yb、In、Zn 等溶入金屬的累積量。
現場快速粗抓藥水負載變化,再搭配定期 ICP 校正。
原本 5 分鐘完成,後來 8 分鐘仍不乾淨,就是最直觀的退槽訊號。
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